Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) Reaksiyonlarının Aktivasyon Enerjisi

0290-35673 DXZ SIN Bölmesi KOMPLE

0010-35756 CVD Bekleme Odası Komplesi

 

Kimyasal buhar biriktirme reaksiyonları için gereken aktivasyon enerjisi genellikle ısı, plazma ve lazerlerden elde edilir.

①Termal Aktivasyon Yöntemi
Termal enerji aktivasyon yönteminde kimyasal buhar biriktirme belirli bir miktarda termal enerji gerektirir, yani reaksiyon ortamının belirli bir sıcaklığa ulaşması gerekir ve gerekli sıcaklık genellikle reaksiyon gazının basıncıyla ilgilidir, basınç ne kadar küçük olursa, gereken sıcaklık ne kadar yüksek olursa.
Termal CVD, atmosferik basınçtan yüksek vakuma kadar farklı basınç seviyelerinde gerçekleştirilebilir. Ancak reaksiyonu aktive etmek için belli miktarda enerjiye ihtiyaç vardır ve reaksiyon farklı şekillerde olabilir. Isıl işlem sırasında alt tabakaya uygulanan sıcaklık, kimyasal reaksiyonu ve maddenin yüzeye difüzyonunu kolaylaştırmak için kullanılan enerjiyi sağlar.

Kimyasal buhar biriktirme, reaksiyon gaz basıncına göre atmosferik basınçlı kimyasal buhar biriktirme (APCVD) ve düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) olarak ikiye ayrılabilir.
②Plazma aktivasyon modu
Aktivasyon yöntemi olarak plazmanın kullanıldığı kimyasal buhar biriktirme, plazmayla güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme (PECVD) olarak adlandırılır. Bu, düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) gibi ısıl işlem yöntemleriyle karşılaştırıldığında düşük sıcaklıkta işlem avantajına sahiptir. PECVD tedavisi sıcaklık aralığı 200-400 derece arasındadır. LPCVD proses sıcaklığı aralığı 425-900 derece arasındadır.

Bu tip PECVD, yarı iletken endüstrisinde silikon nitrürü (Si3N4) ve fosfosilikat camı (PSG) birkaç mikron kalınlığında ve 5-100nm/dak birikme hızıyla biriktirmek için yaygın olarak kullanılır.
③Lazer Aktivasyon Yöntemi
Aktivasyon yöntemi olarak lazer kullanan kimyasal buhar biriktirme, lazerle geliştirilmiş kimyasal buhar biriktirme olarak adlandırılır. Yüksek teknolojinin gelişmesiyle birlikte lazerle güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme yöntemi de yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir.

Kimyasal buhar biriktirme reaksiyonları için gereken aktivasyon enerjisi genellikle ısı, plazma ve lazerlerden elde edilir.

①Termal Aktivasyon Yöntemi
Termal enerji aktivasyon yönteminde kimyasal buhar biriktirme belirli bir miktarda termal enerji gerektirir, yani reaksiyon ortamının belirli bir sıcaklığa ulaşması gerekir ve gerekli sıcaklık genellikle reaksiyon gazının basıncıyla ilgilidir, basınç ne kadar küçük olursa, gereken sıcaklık ne kadar yüksek olursa.
Termal CVD, atmosferik basınçtan yüksek vakuma kadar farklı basınç seviyelerinde gerçekleştirilebilir. Ancak reaksiyonu aktive etmek için belli miktarda enerjiye ihtiyaç vardır ve reaksiyon farklı şekillerde olabilir. Isıl işlem sırasında alt tabakaya uygulanan sıcaklık, kimyasal reaksiyonu ve maddenin yüzeye difüzyonunu kolaylaştırmak için kullanılan enerjiyi sağlar.

Kimyasal buhar biriktirme, reaksiyon gaz basıncına göre atmosferik basınçlı kimyasal buhar biriktirme (APCVD) ve düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) olarak ikiye ayrılabilir.
②Plazma aktivasyon modu
Aktivasyon yöntemi olarak plazmanın kullanıldığı kimyasal buhar biriktirme, plazmayla güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme (PECVD) olarak adlandırılır. Bu, düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) gibi ısıl işlem yöntemleriyle karşılaştırıldığında düşük sıcaklıkta işlem avantajına sahiptir. PECVD tedavisi sıcaklık aralığı 200-400 derece arasındadır. LPCVD proses sıcaklığı aralığı 425-900 derece arasındadır.

Bu tip PECVD, yarı iletken endüstrisinde silikon nitrürü (Si3N4) ve fosfosilikat camı (PSG) birkaç mikron kalınlığında ve 5-100nm/dak birikme hızıyla biriktirmek için yaygın olarak kullanılır.
③Lazer Aktivasyon Yöntemi
Aktivasyon yöntemi olarak lazer kullanan kimyasal buhar biriktirme, lazerle geliştirilmiş kimyasal buhar biriktirme olarak adlandırılır. Yüksek teknolojinin gelişmesiyle birlikte lazerle güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme yöntemi de yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir.

Kimyasal buhar biriktirme reaksiyonları için gereken aktivasyon enerjisi genellikle ısı, plazma ve lazerlerden elde edilir.

①Termal Aktivasyon Yöntemi
Termal enerji aktivasyon yönteminde kimyasal buhar biriktirme belirli bir miktarda termal enerji gerektirir, yani reaksiyon ortamının belirli bir sıcaklığa ulaşması gerekir ve gerekli sıcaklık genellikle reaksiyon gazının basıncıyla ilgilidir, basınç ne kadar küçük olursa, gereken sıcaklık ne kadar yüksek olursa.
Termal CVD, atmosferik basınçtan yüksek vakuma kadar farklı basınç seviyelerinde gerçekleştirilebilir. Ancak reaksiyonu aktive etmek için belli miktarda enerjiye ihtiyaç vardır ve reaksiyon farklı şekillerde olabilir. Isıl işlem sırasında alt tabakaya uygulanan sıcaklık, kimyasal reaksiyonu ve maddenin yüzeye difüzyonunu kolaylaştırmak için kullanılan enerjiyi sağlar.

Kimyasal buhar biriktirme, reaksiyon gaz basıncına göre atmosferik basınçlı kimyasal buhar biriktirme (APCVD) ve düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) olarak ikiye ayrılabilir.
②Plazma aktivasyon modu
Aktivasyon yöntemi olarak plazmanın kullanıldığı kimyasal buhar biriktirme, plazmayla güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme (PECVD) olarak adlandırılır. Bu, düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) gibi ısıl işlem yöntemleriyle karşılaştırıldığında düşük sıcaklıkta işlem avantajına sahiptir. PECVD tedavisi sıcaklık aralığı 200-400 derece arasındadır. LPCVD proses sıcaklığı aralığı 425-900 derece arasındadır.

Bu tip PECVD, yarı iletken endüstrisinde silikon nitrürü (Si3N4) ve fosfosilikat camı (PSG) birkaç mikron kalınlığında ve 5-100nm/dak birikme hızıyla biriktirmek için yaygın olarak kullanılır.
③Lazer Aktivasyon Yöntemi
Aktivasyon yöntemi olarak lazer kullanan kimyasal buhar biriktirme, lazerle geliştirilmiş kimyasal buhar biriktirme olarak adlandırılır. Yüksek teknolojinin gelişmesiyle birlikte lazerle güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme yöntemi de yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir.

Kimyasal buhar biriktirme reaksiyonları için gereken aktivasyon enerjisi genellikle ısı, plazma ve lazerlerden elde edilir.

①Termal Aktivasyon Yöntemi
Termal enerji aktivasyon yönteminde kimyasal buhar biriktirme belirli bir miktarda termal enerji gerektirir, yani reaksiyon ortamının belirli bir sıcaklığa ulaşması gerekir ve gerekli sıcaklık genellikle reaksiyon gazının basıncıyla ilgilidir, basınç ne kadar küçük olursa, gereken sıcaklık ne kadar yüksek olursa.
Termal CVD, atmosferik basınçtan yüksek vakuma kadar farklı basınç seviyelerinde gerçekleştirilebilir. Ancak reaksiyonu aktive etmek için belli miktarda enerjiye ihtiyaç vardır ve reaksiyon farklı şekillerde olabilir. Isıl işlem sırasında alt tabakaya uygulanan sıcaklık, kimyasal reaksiyonu ve maddenin yüzeye difüzyonunu kolaylaştırmak için kullanılan enerjiyi sağlar.

Kimyasal buhar biriktirme, reaksiyon gaz basıncına göre atmosferik basınçlı kimyasal buhar biriktirme (APCVD) ve düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) olarak ikiye ayrılabilir.
②Plazma aktivasyon modu
Aktivasyon yöntemi olarak plazmanın kullanıldığı kimyasal buhar biriktirme, plazmayla güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme (PECVD) olarak adlandırılır. Bu, düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) gibi ısıl işlem yöntemleriyle karşılaştırıldığında düşük sıcaklıkta işlem avantajına sahiptir. PECVD tedavisi sıcaklık aralığı 200-400 derece arasındadır. LPCVD proses sıcaklığı aralığı 425-900 derece arasındadır.

Bu tip PECVD, yarı iletken endüstrisinde silikon nitrürü (Si3N4) ve fosfosilikat camı (PSG) birkaç mikron kalınlığında ve 5-100nm/dak birikme hızıyla biriktirmek için yaygın olarak kullanılır.
③Lazer Aktivasyon Yöntemi
Aktivasyon yöntemi olarak lazer kullanan kimyasal buhar biriktirme, lazerle geliştirilmiş kimyasal buhar biriktirme olarak adlandırılır. Yüksek teknolojinin gelişmesiyle birlikte lazerle güçlendirilmiş kimyasal buhar biriktirme yöntemi de yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir.